Санкции подталкивают CXMT к переходу на память с вертикальными транзисторами — Samsung и SK hynix не торопятся
Американские санкции подталкивают китайскую CXMT к ускоренному переходу на более плотную архитектуру ячеек DRAM 4F2, чтобы конкурировать с Samsung и SK hynix. Пока южнокорейские производители могут повышать плотность памяти более простыми методами, CXMT приходится осваивать сложные технологии раньше соперников — и…
Это короткая выдержка из материала 3DNews. Полный текст остаётся у издателя — перейдите по ссылке, чтобы прочитать его там.
Читать в источнике
